| 序號 | 組份氣體 | 稀釋氣體 |
| 1 2 3 4% D5 | 硅烷（SiH4） 氯硅烷（SiCl4） 二氯二氫硅（SiH2Cl2）( b 乙硅烷（Si2H6） | 氦、氬、氫、氮 氦、氬、氫、氮5 X- 氦、氬、氫、氮 {( k 氦、氬、氫、氮 |
| 膜的種類 | 混合氣組成8 T! r. M1 /! o! ]4 W! | 生成方法3 W0 C! y2 |
| 半導體膜+ 絕緣膜" C 導體膜2 w | 硅烷（SiH4）+氫/ s: v% u# d" f$ 二氯二氫硅（SiH2Cl2）+氫7 ]4 ?0 氯硅烷（SiCl4）+氫 硅烷（SiH4）+甲烷（CH4） 硅烷（SiH4）+氧" U6 H: b7 v. W) 硅烷（SiH4）+氧+磷烷（PH3）% ~. 硅烷（SiH4）+氧+（B2H6） 硅烷（SiH4）+（N2O）+磷烷 六氟化鎢（WF6）+氫1 Q0 Z7 ^. g1 六氯化鉬（MoCl6）+氫 | CVD CVD! d( s4 |: |] CVD 離子注入CVD CVD CVD' k9 I* m$ @, j CVD 離子注入CVD$ k2 CVD* D ~! }! z, CVD" M; p7 /6 R/ u z |
| 類型 | 組份氣 | 稀釋氣7 | 備注 |
| 硼化合物 磷化合物 砷化合物 | （B2H6）、三氯化硼（BCl3）、溴化硼（BBr3） 磷烷（PH3）、氯化磷（PCl3）、溴化磷（PBr3） 砷烷（AsH3）、（AsCl3） | 氦、氬、氫 氦、氬、氫 氦、氬、氫3 |
| 材質 | 蝕刻氣體5 U U x: M @6 b: m |
| 鋁（Al） 鉻（Cr） 鉬（Mo） 鉑（Pt）8 聚硅 硅（Si） 鎢（W） l$ | 氯硅烷（SiCl4）+氬、（CCl4）+（氬、氦） （CCl4）+氧、（CCl4）+空氣 二氟二氯化碳（CCl2F2）+氧、四氟化碳（CF4）+氧% n4 @ 三氟三氯乙烷（C2Cl3F3）+氧、四氟化碳（CF4）+氧 四氟化碳（CF4）+氧、乙烷（C2H6）+氯" 四氟化碳（CF4）+氧8 f, G7 I/ G2 N9 q 四氟化碳（CF4）+氧 |
| 序號( | 組份氣. [: /9 z! | 稀釋氣' r$ q2 | 組份氣含量范圍0 Z( U; |
| 1 25 3 48 5$ 67 77 8 92 10 | （HCl） 硒化氫（H2Se） 鍺烷（GeH4） 磷烷（PH3） 砷烷（As2H3）0 Q; }（B2H6）) F 硅烷（SiH4）# s3 二乙基碲（C2H5）2Te 氯（Cl2） 一氧化碳（CO） | 氧、氮!o 氬、氦、氫、氮6 氬、氦、氫、氮6氬、氦、氫、氮 氬、氦、氫、氮 氬、氦、氫、氮 氬、氦、氫、氮+氬、氦、氫、氮# 氮 六氟化硫( t: J3 f! u5 F* y | 1—10% 5—5000×10-6 1—5% 5—5000×10-6、0.5—15% 5—5000×10-6、0.5—15% 5—5000×10-6、0.5—15% 5—150×10-67 28% 22% |
