普賽斯ATE-3146功率半導體靜態參數測試機可靈活搭配板卡是一款專注于Si/SiC MOSFET、IGBT、GaN HEMT等功率芯片及器件的靜態參數測試系統；采用PXIe通信架構方案，支持板卡靈活擴展與高精度電學特性分析；支持單卡1200V大電壓、單卡400A大電流輸出，且蕞大可擴展至3500V、2000A；可與探針臺(Prober)、分選機(Handler)等外設聯機使用，應用于半導體產線KGD、DBC及FT工站的芯片及器件的高效分選測試。

產品特點：

單工站MOS DC IV參數測試UPH高達9K(注：單工站，7個DC  IV測試項)

單臺主機支持3工站IV+CV或4工站IV并行測

專用于Si/SiC  MOSFET、二極管、三極管、IGBT等KGD、DBC及FT測試

采用PXIe板卡架構，可根據需求靈活搭配板卡實現精準把控測試成本

單卡高達2G局部通信總線帶寬支持PXIe，TrigBus同步觸發支持高達8線局部總線同步

6U標準板卡兼容3U板卡

提供單卡1200V大電壓、單卡400A大電流輸出能力

支持擴展高壓、高流模組，蕞高可達3500V/2000A

內置精密測量電路,實現皮安級和uΩ級的精準測量

CV測試中速模式下基本精度高達0.05%

測試項目

二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、正向電流IF、電容值Cd

三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、ICEO、IEBO、VCESAT、VBESAT、增益hFE、Cobo、Cibo

Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN  FET：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/VGE(th)、IGSS/IGES、柵極內阻Rg、輸入電容Ciss/Cies、輸出電容Coss/Coes、反向傳輸電容Crss/Cres、跨導gfs

目前，武漢普賽斯儀表有限公司的產品已經覆蓋了10pA-2000A、300mV-3500V的電壓電流范圍，并在多個領域展現出覺對優勢。特別是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半導體的電源及測試需求方面，我司在3500V、2000A以上量程及測試性能均處于覺對優勢地位。更多有關功率半導體靜態參數測試機可靈活搭配板卡詳情找普賽斯儀表專員為您解答